Dynisco MDT4X0F 2-Leiter-Massedrucktransmitter mit Auto-Zero
Die neue Dynisco MDT4X0F Drucktransmitterserie wurde für den zuverlässigen Einsatz in kritischen industriellen Umgebungen mit hoher Störbelastung entwickelt. Auch bei ungeschirmten Kabeln kann das 4–20-mA-Signal störsicher über größere Distanzen übertragen werden. Der anstehende Prozessdruck wird durch den integrierten 2-Leiter-Verstärker in ein proportionales Stromsignal umgewandelt.
Ein besonderer Vorteil der Serie MDT4X0F ist die „Auto-Zero“-Funktion. Der Nullpunktabgleich kann direkt über eine Drucktaste am Aufnehmer oder extern von einer Warte beziehungsweise Zentralsteuerung ausgelöst werden. Die Serie verfügt über einen starren Aufnehmerschaft zwischen Membrane und Gehäuse, eine glatte, bündig abschließende Membrane sowie eine integrierte elektronische Bereichs-Kalibriereinrichtung.
| Technische Daten | |
|---|---|
| Druckbereiche | 0–17 bar bis 0–2.000 bar |
| Genauigkeit MDT420F | ±0,5 % v.E. (bis 50 bar ±1 % v.E.) |
| Genauigkeit MDT460F | ±1 % v.E. |
| Reproduzierbarkeit MDT420F | ±0,1 % v.E. (bis 50 bar ±0,2 % v.E.) |
| Reproduzierbarkeit MDT460F | ±0,2 % v.E. |
| Auflösung | Unendlich |
| Max. Überlastbarkeit | 2-facher Druckbereich; für Bereich 1.000 und 1.400 bar max. 1.750 bar; für Bereich 2.000 bar max. 2.450 bar |
| Berstdruck | 6-facher Druckbereich, max. 3.000 bar |
| Werkstoff medienberührt | 15-5 PH Edelstahl, Werkstoff-Nr. 1.4545, DyMax™ beschichtet |
| Messsystem | 4-armiger Dehnungsmessstreifen (DMS) |
| Interner Kalibrierpunkt | 80 % vom Endwert ±1 % |
| Ausgangssignal | 2-Leiter 4–20 mA |
| Speisespannung | 12–36 VDC |
| Nullpunktjustierung | Durch „Auto-Zero“-Abgleichfunktion |
| Auto-Zero-Start | Vor Ort per Drucktaste am Aufnehmer oder extern durch Kurzschließen der „NP“- mit „GND“-Leitung |
| Bereichsabgleich | Durch Kalibrierwert 80 % v.E. |
| Belastungswiderstand | 1.200 Ω bei 36 VDC, 500 Ω bei 24 VDC |
| Isolationswiderstand | 1.000 MΩ bei 50 VDC |
| Signalausgang im Fehlerfall | Nach NAMUR-Empfehlung NE 43: ≤ 3,6 mA oder ≥ 21 mA |
| Max. Membrantemperatur | 400 °C |
| Max. Gehäusetemperatur | 85 °C |

Datenblatt









